SUPERFICIES y VACIO Vol. 24(1), 2011

 

Table of Contents

 

Óxido de silicio SOG como dieléctrico de compuerta recocido a 200°C

M. A. Domínguez-J., P. Rosales-Q. , A. Torres-J., J. Molina-R.1, M. Moreno-M., C. Zúñiga-I.,  W. Calleja-A., F. Coyotl-M.

 

1

Estudio del mecanismo de transporte en películas de silicio poroso

M. A. Vásquez-A., G. Romero-Paredes y R. Peña-Sierra

 

5

Análisis por simulación molecular de las propiedades  electrónicas de la hoja de snc hexagonal

E. Chigo Anota

 

9

Convertidor RF-CD para aplicaciones en etiquetas pasivas RFID

J. Martínez-Castillo, P. J. García-Ramirez, L. García-González, L. Herrera-May, Á. Sauceda-Carvajal, A. Castellanos-Mier, S. Solís-Bustos

 

14

Shifting to the red the absorption edge in TiO2 films: a photoacoustic study

F. Gordillo-Delgado, K. Villa-Gómez, E. Marín

 

20

Electrorremediación de suelos arenosos contaminados por Pb, Cd y As provenientes de residuos mineros, utilizando agua y acido acético como electrolitos

L. García Hernández,  M. Vargas Ramírez, V.  Reyes Cruz

 

 

24

 

 

 

 

 

Instructions for the preparation of manuscripts

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